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Bruckewell & Magnachip – Power Discretes

Bruckewell & Magnachip – Power Discretes

Bruckewell & Magnachip – Power Discretes: Mit Bruckewell (Taiwan) und Magnachip (Südkorea) haben wir zwei starke Partner für Transistoren, MOSFETs, Dioden, IGBTs und weitere Power Discretes.

Die schwierige Verfügbarkeit von Bauteilen in den letzten Jahren hat gezeigt welche Vorteile die Freigabe von mehr als einer Komponente für eine spezifische Funktion innerhalb einer Schaltung bringt. Nicht immer ist dies möglich aber im Bereich der Power Discretes denkbar. Beide Hersteller bieten Standardtypen und Produkte für spezifische Applikationen.

Bruckewell kurz vorgestellt

Bruckewell wurde 2007 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Taiwan. Das Produktportfolio reicht über die üblichen Diodenarten (z.B. TVS) über Bipolar-Transistoren bis hin zu Si– und SiC-MOSFETs und IGBTs. Bruckewell fertigt in Si-, SiC– und GaN Prozessen und bietet so eine breite Auswahl an Komponenten für fast jede Power-Applikation.

Neben klassischen Power Discretes bietet Bruckewell aber auch spezifische Produkte für bestimmte Anwendungen wie 40V MOSFET Module für Powertools oder Hybrid-Schalter für hohe Ströme, die das Beste aus der Si- und SiC-Technologie kombinieren, um eine herausragende Kosteneffizienz zu erreichen.

Bruckewell Neue Produkte

Bruckewell PSG

Neben Produkte in Gehäusen besteht auch die Möglichkeit Wafer für die eigene weitere Verarbeitung zu beziehen.

Die verlinkten Produkte stellen nur eine kleine Auswahl dar. Neben Produkten für industrielle Anwendungen sind auch automotive qualifizierte Bauteile, z.B. MOSFETs verfügbar.

Magnachip kurz vorgestellt

Magnachip ging 1999 aus Hynix hervor und ist einer der etablierten Power Discretes Anbieter in Südkorea. Darüber hinaus arbeitet Magnachip auch als Foundry im Mixed-Signal-, Power- und Analog-Bereich.

Magnachip hat sich im Wesentlichen auf MOSFETs und IGBTs für industrielle Anwendungen und Applikationen im Automobil konzentriert.

Die MOSFETs decken den Spannungsbereich von 12 V bis 900 V ab. Zwischen 200 V und 900 V setzt Magnachip auf SJ-MOSFETs in der mittlerweile Gen6.

Magnachip PSG

Als Beispiel seien aber auch klassische 600 V Produkte erwähnt. Da die Anforderungen an die Verarbeitbarkeit und Bauteilgröße zunehmen sind mittlerweile auch 650 V im PDFN88 mit optimiertem RDSON verfügbar.

IGBTs werden für 650 V und 1200 V angeboten und sind auf Stromstärken zwischen 15 A und 550 A ausgelegt.

Insgesamt schaut Magnachip auf die Realisierung von kosteneffizienten Lösungen auch in modernen Gehäusetypen wie DFN3x3, DFN5x6, DFN8x8, TOLL oder M2PAK. Weitere Packages für bessere Wärmeabführungen sind in der Entwicklung.

Wir hoffen Ihnen hier einen kurzen Überblick zu unseren Power Discretes Partnern Bruckewell und Magnachip gegeben zu haben. Aufgrund der Breite und Fülle an Produkten kommen wir gern mit Ihnen direkt ins Gespräch – sei es bei Ihrer Suche nach Alternativen oder der Unterstützung Ihrer Auswahl für neue Entwicklungen. Sprechen Sie uns direkt an oder senden Sie uns hier Ihre Anfrage

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