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Bruckewell – Optimieren Sie Ihr Power-Design mit SiC Schottky Dioden (650V/1200V)

Optimieren Sie Ihr Power-Design mit den SiC Schottky Dioden (650V/1200V) von Bruckewell. Lesen Sie hier mehr über Bruckewell und im Folgenden mehr Details zum SiC Dioden Portfolio.

SiC Schottky Dioden von Bruckewell

Sei es die Optimierung des Wirkungsgrades Ihrer bestehenden siliziumbasierten Anwendung oder bei der Gestaltung der nächsten Produktgeneration – Bruckewell bietet SiC Schottky Dioden in den gängigen Gehäusetypen (TO-220Ax, TO-247, TO-277, DPAK, DFN) für Designs zwischen 650V bzw. 1200V und bei denen Ströme zwischen 4A und 40A auftreten.


In der folgenden Übersicht erhalten Sie einen Überblick über diese Produktfamilie

SiC Schottky Dioden Portfolio Bruckewell

Download

SiC Dioden Portfolio

Gerne unterstützen wir Sie auch bei der Suche nach Alternativen, da viele der Bruckewell SiC Dioden schwer beschaffbare Bauteile anderer Hersteller direkt ersetzen können,
bei deutlich kürzerer Lieferzeit.


Anwendungen für SiC Dioden

  • Effizienzsteigerung für bestehende IGBT Designs durch die Minimierung von Schaltverlusten
  • Schnellschaltende Netzteile für On-Board-Charger (OBC) Anwendungen im Automobilbereich
  • DC Ladesysteme für hohe Leistungen
  • Solarinverter
  • Platzsparende Schutzschaltungen
  • Verbesserung der Effizienz und des Sicherheitsfaktors bei bestehenden Si-Power-Designs

Kontaktieren Sie unser Team zu Bemusterungs- und Cross-Referenz-Möglichkeiten, damit Sie Ihre Entwicklungen voranbringen sowie die Produktion bestehender Designs sicherstellen können!

    Bitte kontaktieren Sie mich zu oben genannten Thema per

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