Bruckewell – GaN on Sapphire: Das Portfolio des taiwanesischen Herstellers Bruckewell bietet nun auch verschiedene GaN Lösungen für digitale Stromversorgungen mit QR (quasi resonant) und LLC Topologien.
Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern setzt Bruckewell bei seinen GaN Produkten auf einen GaN on Sapphire Prozess. Hierbei wird eine bessere rückseitige Isolation und geringere Leckströme im Vergleich zur verbreiteten GaN on Si Technologie erreicht. Der Prozess bei Bruckewell ist für 650V ausgelegt.
Um den Kunden Flexibilität im Design zu ermöglichen hat Bruckewell mit dem HMHL065N185C ein Produkt entwickelt, das auf einem „normally-on“ GaN Schalter und einem „normally-off“ Si-MOSFET für die Gate Realisierung basiert, so dass ein gewohntes „normally off“ Bauelement entsteht. 
Hierbei hatte Bruckewell die Kostenstruktur im Blick, da GaN „normally on“ Schalter einfacher zu fertigen sind. Auch wird der kompatible Gate-Spannungsbereich von +/-20V damit erreicht. Diese Lösung adressiert Stromversorgungen im Leistungsbereich von 20W bis 3kW. Mit der CBR06P65HL empfiehlt Bruckewell eine passende SiC Schottky Diode als PFC-Diode. Mehr zu Bruckewell’s SiC Dioden finden sie hier.
Wenn Sie in Ihrem Design allerdings eher ein klassisches Design bevorzugen, bietet Bruckewell mit dem HMHL065N210E einen 650V GaN Enhancement Mode Power Transistor an.
Als drittes Produkt ist eine GaN/Si-Kaskode ähnlich dem oben erwähnten HMHL065N185C verfügbar, jedoch mit integrierter Gate-Treiberschaltung – der HMHL065N170CI. 
Hierdurch wird die Ansteuerung nochmals vereinfacht. Über einen externen Widerstand RSET zwischen 10 und 100kOhm lässt sich die Slew Rate einstellen. Das IC benötigt eine Versorgungsspannung zwischen 10 und 30V. Die Ansteuerung erfolgt über eine PWM mit 5 oder 15V mit bis zu 1MHz.
Alle drei GaN Produkte von Bruckewell sind im PDFN Gehäuse 8mm x 8mm verfügbar.
Bruckewell unterstützt neben den Datenblättern auch mit Referenzdesigns auf Anfrage
Die Bruckewell Technology LTD ist ein taiwanesisches Unternehmen und wurde 2007 gegründet. Es hat sich spezialisiert auf die Entwicklung von Leistungs-Discrets. Das Portfolio erstreckt sich neben den hier vorgestellten Produkten auf Dioden, für die unterschiedlichsten Anwendungszwecke, über Bi-Polar Transistoren bis hin zu MOSFETs – Si- wie SiC-Technologie wird bei Bruckewell für die Entwicklungen hier eingesetzt. Neben gehausten Bauelementen werden auch Wafer / KGD als Lieferform angeboten.
Sind Sie fündig bei den Bruckewell – GaN on Sapphire Lösungen geworden oder suchen andere Power-Discretes? Sprechen Sie uns an oder senden Sie uns Ihre Anfrage im folgenden Formular