Das aktuelle Super-Junction High Voltage MOSFET-Portfolio, das auf dem Gen2 (RSP=20mOhm * cm2/ Zellabstand=15µm) und Gen2.5 (RSP=18mOhm * cm2 / Zellabstand=7,5 µm) Prozess basiert, umfasst Lösungen für 600V – 900V.
Auf der Roadmap für 2023 und 2024 konzentriert sich Magnachip auf die nächsten Prozessgenerationen, um einen RSP von bis zu 10mOhm*cm2 bei einem Zellabstand von 4,5µm zu erreichen.
Magnachip, ein Anbieter von Analog- und Mixed-Signal-Lösungen mit Sitz in Seoul, betreibt in seiner eigenen Fabrik in Gumi, Korea, Prozesse mit 0,13 µm – 0,5 µm Technologie.
Innerhalb der SJ-Serie bietet Magnachip ein komplettes Sortiment aller bekannten Gehäuselösungen wie DPAK, D2PAK, IPAK, TO220/F /FT bei RDSON von 70mOhm – 1600mOhm.
Einige fokussierte Bauteilnummern mit extrem niedrigen Schaltverlusten und integrierter Zenerdiode sind jetzt in Mustern und in der Massenproduktion verfügbar.
Lesen Sie mehr zu dem neuen 600V SJ MOSFET Portfolio im Detail.
Auch neue Gehäuseoptionen wie das TOLL-Gehäuse werden in Erwägung gezogen und sind in Kürze als Entwicklungsmuster erhältlich. Dies wird den Entwicklungsingenieuren mehr Optionen für ihr Wärmemanagement, einen einfacheren Produktionsprozess und Platzeinsparungen auf der Leiterplatte bieten.
Sprechen Sie mit uns über Ihren Bedarf an HV MOSFET. Wir beraten Sie gerne bei der Auswahl aus dem Super-Junction MOSFET-Portfolio von Magnachip.