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Magnachip – Diskrete IGBTs mit hoher Schaltgeschwindigkeit und Robustheit

Im Bereich der Leistungshalbleiter bietet Magnachip Semiconductor neben MOSFETs auch diskrete IGBTs an. Bei der Produktion der IGBTs kommt Magnachips fortschrittliche Field Stop Trench IGBT Technologie zum Einsatz. Diese ermöglicht unter anderem niedrige VCE(sat), sehr gutes Schaltverhalten mit hoher Schaltgeschwindigkeit und geringen Schaltverlusten, Robustheit und exzellente Qualität.

Magnachip IGBTs kommen vor allem in Anwendungen wie PFC, USV, PV Inverter, Schweißgeräte oder bei Motorregelungen zum Einsatz. Aktuell hat Magnachip IGBTs in den Spannungsklassen 650V und 1200V im Angebot. Alle Magnachip IGBTs haben eine anti-parallel Diode integriert.

In Zukunft plant Magnachip IGBTs mit Wirkungsgraden oberhalb der „Trench“ üblichen Wirkungsgrade zu fertigen. Ist das interessant für Ihre Leistungselektronik? Dann sprechen Sie mit uns über Magnachips IGBT Roadmap.

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