Design-In-Expertise And Service
Suchen nach ...
globsearch_:
Hersteller Kategorie Artikel Freitext

Bruckewell – Logic-Level MOSFETs

Bruckewell Logic-Level MOSFETs

Logic-Level MOSFETs, die bei typischen Mikrocontroller-Ausgangsspannungen von 2 V bis 5 V bereits durchschalten, werden in vielen Schaltungen eingesetzt.

Bruckewell bietet eine Reihe dieser MOSFETs als N-Channel, P-Channel sowie kombinierte N/P Versionen an. Bruckewell punktet außerdem mit einer aktuell kurzen Lieferzeit von ca. 8-12 Wochen.

Anwendungen für Bruckewell Logic-Level MOSFETs

Diese Art von MOSFETs finden breite Anwendung in verschiedensten Applikationen. Oft geht es darum, auf einen externen MOSFET Treiber zu verzichten und die Transistoren z.B. direkt von einem I/O Pin eines Mikrocontrollers durchzuschalten.

Batteriebetriebene Geräte, die aus nur einer Sekundärzelle betrieben werden, sind für Betriebsspannungen zwischen 3.7 V bis 3.0V ausgelegt (z.B. Li-Po Zelle). Daher ist es notwendig, dass direkt an den Mikrocontroller angeschlossene MOSFETs bereits bei vergleichsweise niedrigen Gate-Source-Spannungen öffnen.

Auch bei der Realisierung von Ansteuerungen für kleine Motoren mittels Voll- oder Halbbrücken besteht diese Anforderung, um auf externe MOSFET Treiber ICs verzichten zu können.


Portfolio Überblick

Bruckewell hat in diesem Bereich eine Reihe von MOSFETs entwickelt. Die Derivate dieser Familie eignen sich für Anwendungen mit Drain-Source-Spannungen von 20V/30V (N-Channel) bzw. -20/-30V (P-Channel). Für diesen Spannungsbereich sind typische Gehäusetypen wie SOT-23, DFN3x3 oder SOP-8 (für höhere Drain-Ströme) verfügbar.

Der MS23N06A (30V, N-Channel, 4.9A ID@70°C) soll als Beispiel dienen. Die Gate-Threshold Spannung zwischen 0.5 V(min) und 1.2 V(max) ist die Voraussetzung für die hier geforderten weiteren Eigenschaften. Die folgenden Diagramme zeigen für die Logic-Level MOSFETs typischen Verläufe:

Bruckewell bietet aktuell 12 Typen an – weitere befinden sich in der Entwicklung. Folgende Tabelle gibt hierzu einen Überblick

Product

Channel Polarity

Config.

V(BR)DSS Min (V)

VGS(th) Max (V)

IDmax (A) @ TC=25°C

PDmax (W) @ TA=25°C

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Package Type

Datasheet

MS20N06S

N

Single

20

1

6

1

35

26

SOT-23

MS23N02

N

Single

20

1,2

3,6

1

75

55

SOT-23

MS23N06A

N

Single

30

1,2

5,8

1

50

35

SOT-23

MS23P01

P

Single

-20

-1

-2.6

1,4

135

100

SOT-23

MS23P03

P

Single

-30

-1,2

-3.2

1,38

150

80

SOT-23

MS23P05

P

Single

-20

-1,2

-3.1

1

100

65

SOT-23

MS23P09

P

Single

-20

-1

-5.8

1,56

45

33

SOT-23

MS34N00

N

Single

30

1,5

5,8

1

45

30

SOT-23

MS34P01

P

Single

-30

-1,3

-4.2

1,2

130

75

SOT-23

MSHM20P40

P

Single

-20

-1

-40

2

11

8

DFN 3×3

MST26P21D

P

Dual

-20

-1

-2.5

1,25

130

90

SOT-26

MST66C04D

N & P

Dual

20 / -20

1,2 / -1,2

N: 3,6 / P: -3,0

1,1

N:55 / P:120

N: 48 / P: 80

SOT-26

Der MST66C04D eignet sich für kompakte Voll- oder Halbbrückenansteuerung kleiner Motoren. Für neue Typen wie den MS23N00 ist eine AEC-Q101 Qualifizierung verfügbar.


Ausblick

Bruckewell erweitert das Portfolio weiter. Aktuell ist z.B. ein weiteren N-Kanal MOSFETs als 20V Typ mit einem max. RDS(on)=7.2mOhm bei VGS=2.5V und ID=9A(@25°C) im SOP-8 Gehäuse in Vorbereitung.


Zu Bruckewell

2007 gegründet, hat Bruckewell die Entwicklung von Dioden, Bipolar-Transistoren und MOSFETs sowie LED-Treiber laufend vorangetrieben.

Neben Produkten in klassischer Si-Technologie sind mit SiC Dioden (bald auch SiC-MOSFETs) Produkte der neusten Technologiegeneration in gängigen Gehäusetypen sowie als KGD bzw. Wafer verfügbar.


Rufen Sie uns an, oder schicken Sie uns hier eine Anfrage zu den Bruckewell Logic-Level MOSFETs oder anderen Power Discretes

    Bitte kontaktieren Sie mich zu oben genannten Thema per

    Ich bin interessiert an:

    AngebotBesuchsterminDatenblattMusterSonstiges